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    • 专利摘要:
    Eswerden ein Verfahren und System zum Erkennen der Qualität eineralternierenden Phasenverschiebermaske mit einer Anzahl von phasenverschiebendenBereichen von 180°,die mit einer Anzahl von phasenverschiebenden Bereichen von 0° alternieren,offenbart. Bei Betrieb strahlt eine Lichtquelle, die einfallendes Lichtmit einstellbarer Wellenlängebereitstellt, einfallendes Licht auf die alternierende Phasenschiebermaskeab. Die Lichtabgabe von Grenzen zwischen phasenverschiebenden Bereichenmit 0° undsolchen mit 180° deralternierenden Phasenschiebermaske werden detektiert. Dann werdenKurven der Beziehung aus Wellenlängedes einfallenden Lichts und einer Lichtintensität der Grenzen berechnet. Anhandder Kurven könnensomit Phasenfehler der alternierenden Phasenverschiebermaske gemessenwerden.
    公开号:DE102004022595A1
    申请号:DE200410022595
    申请日:2004-05-07
    公开日:2005-02-03
    发明作者:Shahid Butt；Shoaib Hasan Zaidi
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:G01N21-41
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft allgemein ein System und Verfahrenzum Erkennen der Qualität eineralternierenden Phasenschiebermaske und insbesondere ein System undVerfahren zum Erkennen und Quantifizieren von Fehlern einer alternierenden Phasenschiebermaske.
    [0002] Photolithographiewird üblicherweiseauf dem Gebiet der Halbleiterherstellung dazu verwendet, Strukturmerkmale(oder Muster) auf Wafersubstraten zu bilden. Bei einer bestimmtenArt von Photolithographie, die als „BIM"-(binary intensity mask)-Photolithographiebekannt ist, wird ein Photolack oder eine Maske, von Mustern gebildet,die aus undurchsichtigen Bereichen (wie etwa Chrom) und transparentenBereichen (wie etwa Quarz) bestehen, und über einer Halbleiterschichtangeordnet, wo eine Struktur wie etwa eine isolierende Schicht odereine leitende Schicht auf einem Halbleitersubstrat gebildet wird.Wie in 1 dargestellt,wird eine Maske 100 zusammen mit einer nächsten Schicht 10 desSubstrats Licht zur Bestrahlung ausgesetzt, wozu Röntgenstrahlen,Ultraviolettstrahlen oder andere Strahlen zählen können. Projiziertes Licht innerhalbeines spezifischen Wellenlängenbereichstritt durch transparente Bereiche 120 der Maske zur nächsten Schicht 10 desSubstrats, wird aber durch undurchsichtige Bereiche 110 derMaske blockiert. Auf diese Weise können die belichteten Bereicheder Unterschicht 10, auf die das Licht trifft, in einemnachfolgenden Entwicklungsprozeß entferntwerden, wodurch die unbelichteten Bereiche als Strukturmerkmaleauf der Unterschicht 10 zurückbleiben (siehe 1D). Derartige Entwicklungsschrittesind als ein „Negativ-Entwicklungsverfahren" bekannt. Alternativ kanndie Strukturierung durch ein „Positiv-Entwicklungsverfahren" erfolgen, bei demdie belichteten Bereiche der Schicht 10, auf die das Lichttrifft, zurückbleiben,aber unbelichtete Bereiche entfernt werden.
    [0003] MehrereAbscheidungsprozesse und Ätzprozessewerden sequentiell auf das Halbleitersubstrat mit der strukturiertenUnterschicht angewendet, um Elektroden und Verbindungen von Halbleiterbauelementenzu bilden.
    [0004] Die 1B und 1C zeigen eine Kurve der Verteilung derPhase/Energie bzw. eine Kurve der Lichtintensität in Bereichen, in denen Lichtdurch transparente Gebiete der Maske 100 hindurchtritt. Wiein 1B gezeigt, erscheintdie Phase oder die Energie des Lichts, das von den transparentenGebieten der Maske emittiert wird, als ein ungefähr sinusförmiges Muster. Obwohl Lichtan den undurchsichtigen Bereichen blockiert wird, weist die Phase desStrahls, der an den Kanten transparenter Bereiche emittiert wird,eine Phasenverschiebung auf. 1C zeigtdie Intensitätdes emittierten Lichtstrahls, die ungefähr dem Quadrat der Energieentspricht. Wie man sehen kann, wird der von den transparenten Bereichenemittierte Strahl mit reduzierter Intensität in Bereiche unter den undurchsichtigenBereichen gestreut.
    [0005] Mitzunehmender Integrationsdichte von Halbleiterbauelementen wird esimmer wichtiger, Photolithographietechniken zu verbessern, um feinereStrukturen auf Masken zu bilden. Mit schrumpfenden Größen undAbständender Strukturmerkmale beginnt jedoch die Auflösung der Projektionsoptik, dieQualitätder Maskenstruktur zu begrenzen. Insbesondere sind Abmessungen derIC-Strukturmerkmale in einen Bereich unter 130 nm verkleinert worden (Subwellenlängenbereich),der kleiner als die Wellenlängedes abgestrahlten Lichts von gegenwärtig verwendeten Geräten zuroptischen Lithographie ist. Lithographen verwenden nun Licht miteiner Wellenlängevon 193 nm zum Strukturieren kritischer Schichten von 100 Knotenin der nm-Technologie.
    [0006] Wiein den 1A bis 1D gezeigt, die für Optikenim Subwellenlängenbereichrepräsentativsind, liegt sogar unter den undurchsichtigen Bereichen (siehe 1C) erhebliche Lichtenergie(d.h. Intensität)vor, weil die transparenten Bereiche und die undurchsichtigen Bereicheextrem nahe beieinander liegen. Diese „unerwünschte" Energie ist das Resultat von Lichtbeugung,die die Qualitätdes Maskenprofils, das insbesondere an den Grenzen zwischen denundurchsichtigen Bereichen 110 und den transparenten Quarzbereichen 120 idealerweisevertikal sein sollte, signifikant beeinflußt. Wenn es zur Lichtbeugungkommt, erhalten die Gebiete auf dem Substrat 10, die dunkelsein sollten, gebeugtes Licht, wodurch bewirkt wird, dass dieseGebiete verschwommen sind und nicht unterscheidbar sind. Wie in 1D gezeigt, verlaufen dieGrenzen 12 der Struktur 11 nach dem Entwickelnder Maske aufgrund der oben erwähntenLichtbeugungseffekte nicht vertikal zur Oberfläche der Schicht 10.Dadurch sind Qualität undAusbeute der mit dieser Maske hergestellten Halbleiterbauelementeschlecht.
    [0007] Mitder zunehmenden Nachfrage nach der Herstellung von Halbleiterbauelementenim Subwellenlängenbereichsind eine Reihe von „Subwellenlängen"-Technologien inder Industrie eingeführtworden. So sind Phasenschiebermasken („PSM" – phaseshift-masks)eingeführtworden, die es ermöglichen,dass klare Gebiete einer Maske Licht mit einer vorgeschriebenenPhasendrehung durchlassen, um die Belichtbarkeit der Maske zu kontrollieren.
    [0008] Lithographiemit Phasenverschiebung liefert ein Verfahren zum Reduzieren derEffekte der oben beschriebenen Lichtbeugung. Eine Art von PSM wird alsalternierende PSM (AltPSM) bezeichnet, die in den 2A bis 2D gezeigtist. Wie in 2A gezeigt, wirdeine AltPSM 200 hergestellt, indem ein undurchsichtigesMaterial (wie etwa Chrom) auf einem transparenten Substrat, wieetwa Quarz 240, abgeschieden wird, um auf dem Quarz undurchsichtigeChrombereiche 210 zu bilden, die abwechselnd zu den transparentenQuarzbereichen 220 und 230 angeordnet sind. Dannwerden alternierende Quarzbereiche (d.h. Bereiche 230)in die Maske geätzt,um Quarzbereiche mit einer Phasenverschiebung von 180 Grad zu bilden.Benachbarte transparente Quarzbereiche auf der Maske, die durchdie undurchsichtigen Bereiche 210 getrennt sind, werdenso erzeugt, dass die Phase des Lichts, das einen der transparentenBereiche (wie etwa Bereich 230) durchdringt, gegenüber Licht,das den benachbarten transparenten Bereich 220 durchdringt,um 180 Grad gedreht oder verschoben wird.
    [0009] 2B zeigt, dass das die benachbarten transparentenQuarzbereiche durchdringende Licht durch eine Phasendrehung um 180Grad charakterisiert wird. Indem zwei benachbarte transparente Bereichemit Phasendrehungen von jeweils 0 und 180 Grad verwendet werden,interferiert das in die nominell dunklen Gebiete zwischen diesenbenachbarten transparenten Bereichen gebeugte Licht destruktiv (umeinander aufzuheben), so dass die dunklen Gebiete dunkel bleiben. 2C ist ein Transmissionsprofilder AltPSM, das zeigt, dass man mit der AltPSM auf dem Wafersubstrat 10 frequenzverdoppelte Strukturenerhält. 2D zeigt, dass die Intensität der Energieauf Null abnimmt, wenn Licht durch Übergänge benachbarter transparenterQuarzbereiche hindurchtritt, wodurch man scharfe Profile auf der Schicht 10 erhält. Wiein 2E gezeigt, weistdie Schicht 10 vertikale Profile 15 mit einemscharfen und deutlichen Bildkontrast auf. Der deutliche Bildkontrastführt zueiner besseren Auflösungund zu einer besseren Tiefenschärfe.
    [0010] Wennder lithographische Faktor k1 reduziert wird, erhöhen diemit AltPSM verbundenen Vorteile die Chancen, einen deutlichen Bildkontrastzu erhalten. AltPSM liefert zusätzlichzu der Frequenzverdoppelung auch noch einen weiteren Vorzug hinsichtlich einesverbesserten Prozessfensters und einer reduzierten EmpfindlichkeitgegenüberMaskenfehlern.
    [0011] Wenngleichder Einsatz von AltPSM fürdie Verbesserung der photolithographischen Technik in der heutigenSubwellenlängen-Industrieeine leistungsfähigeLösungdarstellt, wird sie im Vergleich zu der Verwendung einer BIM alsanspruchsvoller und aufwändigerangesehen. Insbesondere muß eineAltPSM hinsichtlich eines Ungleichgewichts der Lichtintensitäten vongedrehten und ungedrehten Raumbereichen und hinsichtlich der Kontrollierbarkeitvon Phasendefekten ausgewertet werden. Um den Vorteil der Verwendungvon AltPSM zu maximieren, müssendie ungedrehten Bereiche und die Bereiche mit einer Phasendrehungvon 180 Grad sowohl hinsichtlich Transmission als auch Phase perfektausgeglichen sein.
    [0012] Die 3A bis 3D sind graphische Darstellungen, diedie Auswirkung verschiedener Fehler der Beugungsstruktur veranschaulichen,die bei Verwendung einer AltPSM auftreten können. Bei jeder graphischenDarstellung ist die Numerische Apertur („NA") an den Grenzen zwischen Bereichenmit Phasendrehung von 0 und 180 Grad gleich 0. Diese Grenzen zwischender Phasendrehung um 0 Grad und 180 Grad sind die Stellen nullterOrdnung der Intensitätdes durch die Maske hindurchtretenden Lichts. Diese Figuren veranschaulichen,ob am Nullpunkt, d.h. der Grenze zwischen der Phasendrehung um 0Grad und der zwischen 180 Grad, Fehler auftreten, denn dort kannder Phasenfehler und der Transmissionsfehler auftreten. Mit anderenWorten kann das, was die Fehler bestimmt, durch Lichtbeugung amNullpunkt detektiert werden, d.h. bei NA = 0.
    [0013] 3A zeigt eine ideale Beugungsstruktur, beider am Nullpunkt kein Fehler auftritt. In dieser Figur ist die Lichtintensität 0 beiNA = 0, was darauf hinweist, dass Licht, das durch die Grenzen zwischen denBereichen mit einer Phasendrehung von 0 Grad und 180 Grad hindurchtritt,perfekt ausgelöschtwird. Bei Anwendung dieser Maske im Lithographieprozess lassen dieBereiche der Schicht, die den Grenzen entsprechen, deshalb scharfeLinien zurück.
    [0014] Esexistieren mindestens drei Arten von Fehlern, die die Qualität der AltPSMbeeinflussen können.Allgemein kann ein Phasenfehler vorliegen, wenn relativ zum Berechungsindexdes einfallenden Lichts eine falsche Materialtiefe erzielt wird(wenn beispielsweise die geätztentransparenten Bereiche 230 in 2A so geätzt werden, dass Bereiche zu tiefoder zu flach sind). In diesem Fall tritt die Lichtbeugung an derPo sition NA = 0 als ein Phasenfehler auf, wie in 3B gezeigt.
    [0015] Einezweite Art von Fehler, der bei einer PSM auftreten kann, ist alsFehler der kritischen Abmessungen („CD") bekannt. CD-Fehler können existieren, wenn die kritischenAbmessungen des Halbleiterbauelements (beispielsweise eine Gateelektrode desHalbleiterbauelements) nicht sorgfältig kontrolliert werden. 3C zeigt, dass an der PositionNA = 0 auch eine Lichtbeugung auftritt, wenn ein CD-Fehler vorliegt.
    [0016] Einedritte Art von Fehler, der bei einer PSM auftreten kann, ist einTransmissionsfehler. Das Auftreten eines Transmissionsfehlers kanneiner phasenverschiebenden Öffnungzugeschrieben werden (wie etwa einem geätzten transparenten Quarzbereich 230 von 2), die von der Rauhigkeitdes Ätzenssowie von elektromagnetischen Streuphänomenen von den Seitenwänden dergeätzten Öffnung abhängt. 3D zeigt, dass an der PositionNA = 0 eine Lichtbeugung auftritt, wenn Transmissionsfehler auftreten.
    [0017] Wiein den 3B bis 3D gezeigt, führt ein etwaigesUngleichgewicht bei der Transmission, der Phase oder der CD derMaske dazu, dass eine Gleichwert-Komponente in den 2B-2D vorliegt. Esist deshalb wichtig, die Gleichwert-Komponente der PSM zu erkennen, um dieQualitätder Maske zu bestimmen.
    [0018] ZumMessen des CD-Fehlers gibt es eine Reihe von Techniken. Ein CD-Fehlerkann beispielsweise durch ein von der Oberseite der Maske aus nachunten gerichtetes Rasterelektronenmikroskop („SEM") detektiert werden. Der CD-Fehler kannerkannt werden, wenn innerhalb von zwei Gebieten ungleiche Linien auftreten.Das Erkennen von Phasenfehlern und Transmissionsfehlern mit einemSEM kann jedoch schwierig und mühsamsein, und die Ergebnisse sind oftmals ungenau.
    [0019] Da,wie oben beschrieben, eine Phasendrehung durch Ätzen in den Quarz auf der Maskeerzeugt wird, kann aufgrund instabiler Ätzprozesse usw. ein erheblichesAusmaß anTransmissionsungleichgewicht zwischen den 180 Grad-Bereichen und den0 Grad-Bereichen vorliegen. Um dies zu kompensieren, sind verschiedeneVerfahren verwendet worden, doch ist die Kompensation aufgrund des nichtlinearen Verhaltens des Fehlers des Transmissionsverlusts im allgemeinenungleichförmig.
    [0020] Dasvorwiegende Verfahren zum Charakterisieren eines Transmissionsfehlersund Phasenfehlers war bisher die Verwendung von Werkzeugen wie dasLuftbild-Messsystem oder „AIMS", das die KennlinieBelichtung und Tiefenschärfe(„DOF") von Masken schnellauswertet, bevor Experimente mit Resist durchgeführt werden.
    [0021] 4 ist ein schematischesDiagramm eines AIMS-Werkzeugs. Ein AIMS-Werkzeug 400 enthält im Grundeeine Beleuchtungseinrichtung 410 zum Projizieren einfallendenLichts mit einem spezifischen Wellenlängenbereich, eine Mikroskopeinrichtung 420 zumErkennen von auf der Maske ausgebildeten Bildern und eine zwischender Beleuchtungseinrichtung 410 und der Mikroskopeinrichtung 420 positioniertePlattform 430. Eine Maske (wie etwa eine AltPSM 200)wird zur Erkennung auf der Plattform 430 plaziert. DieKomponenten in dem Werkzeug sind so konfiguriert, dass das Beleuchtungssystem 410 Lichtvon der Rückseiteder Maske 200 aus projiziert und das Mikroskopsystem 420 einBild der Maske 200 von der Vorderseite der Maske 200 empfängt. DasBild der Maske 200 wird dann zur Analyse der Maskenqualität in eineComputersoftware 440 eingegeben.
    [0022] DieBeleuchtungseinrichtung 420 enthält eine Beleuchtungsquelle 411 zumProjizieren mindestens eines Tief-UV-Lichts (Wellenlängen 365, 248, 193 nmoder andere) und einen Schmalbandfilter 413 zum Festlegeneiner Mittenwellenlänge(Wellenlängen 365, 248, 193 nmoder andere) mit einer Bandbreite von in der Regel < 10 nm Halbwertsbreite.Die Kohärenzoder „σ" des auf die Maske 200 einfallendenLichts wird durch einen σ-Apertur-Regler 415 justierbargesteuert, der an einem Punkt in der Basis der Mikroskopeinrichtung 420 einerObjektivlinse 421 der Mikroskopeinrichtung 420 zugeordnetpositioniert ist. Die Beleuchtungseinrichtung 410 umfasstweiterhin eine Kondensorlinse 417, die das Licht auf einkleines (Submillimeter) Gebiet der Maske 200 fokussiert.Die Plattform 430 kann auf und ab bewegt werden, damitein Bediener Bilddaten durch die Fokalebene der Maske 200 auswählen kann.Die Mikroskopeinrichtung 420 enthält zusätzlich zu der Objektivlinse 421 mindestenseinen die Numerische Apertur („NA") definierenden Regler 423 zumSteuern der Numerischen Apertur des Mikroskops 420 undeine CCD-Kamera zum Empfangen der Bilddaten der Maske 200.Die Bilddaten der Maske 200 werden dann zur Analyse derQualitätdes Maskenbilds an Computersoftware ausgegeben, um zu bestimmen,ob etwaige Maskendefekte vorliegen, und um die Belichtbarkeit derMaske usw. zu messen.
    [0023] AIMS-Werkzeugefinden zum Erkennen der Qualitätvon photolithographischen Masken breite Verwendung, da das Systemdie Qualitätder Maske erkennen kann, bevor sie zur Herstellung von Halbleiterwafernverwendet wird. Wenn die Defekte einer Maske erkannt werden, kanndie Maske verworfen oder repariert und dann durch AIMS 400 erneutzur weiteren Erkennung ausgewertet werden. In einigen Fällen kannalternativ der Halbleiterherstellungsprozess justiert werden, umDefekte in der Maske zu kompensieren. Auf diese Weise kann die Qualität des Halbleiterbauelementseffektiv gesteuert werden und die Ausbeute des Halbleiterbauelementskann dementsprechend erhöhtwerden.
    [0024] WenngleichAIMS-Werkzeuge Maskendefekte effektiv erkennen können, ist die Verwendung derartigerWerkzeuge sehr komplex und aufwendig. Mit der Anwendung von AIMS-Werkzeugenzum Erkennen von größeren Bereichender Maske wird außerdemkomplizierte Software benötigt,um die Maskenstrukturen zu berechnen, wodurch die Kosten des Einsatzesdes AIMS-Systems weiter erhöhtwerden. Bei vielen Herstellungsprozessen mit Maskierung ist es jedochnicht erforderlich, großeBereiche der Maske zu erkennen und insbesondere aufwändige Erkennenswerkzeugeund komplizierte Software zu verwenden, um die Maskenqualität auszuwerten.Es werden deshalb ein kostengünstigeresund einfacheres Verfahren und System zum Erkennen der Qualität der AltPSMbenötigt.
    [0025] Dievorliegende Erfindung stellt ein preiswertes und effektives Verfahrenund System zum Erkennen von Aspekten bereit, die die Qualität eineralternierenden Phasenschiebermaske betreffen.
    [0026] EineAusführungsformder vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zum Erkennen vonFehlern einer alternierenden Phasenschiebermaske bereit. Das Verfahrenumfasst das Zuführenvon Licht, das mit mehreren verschiedenen Wellenlängen auf einealternierende Phasenschiebermaske auftrifft, den Nachweis einerAbgabe, die von der Maske abgestrahlt wird und sich aus dem zugeführten einfallendenLicht ergibt, fürjede der mehreren verschiedenen einfallenden Wellenlängen unddas Vergleichen der Wellenlängedes zugeführteneinfallenden Lichts, bei dem die detektierte Abgabe minimal ist, miteiner vorbestimmten Wellenlänge,um Unvollkommenheiten in der Maske zu erkennen.
    [0027] Eineweitere Ausführungsformder vorliegenden Erfindung besteht im Bereitstellen eines Systemszum Erkennen einer Qualitäteiner alternierenden Phasenschiebermaske, die geeignet ist, beieiner vorbestimmten Wellenlängezu arbeiten. Das System umfasst eine Lichtquelle zum Abstrahlenvon auf die alternierende Phasenschiebermaske einfallendem Licht,wobei das einfallende Licht mindestens eine Wellenlänge aufweist,einen Detektor zum Nachweis einer von der Maske abgestrahlten Abgabebei Beleuchtung durch das einfallende Licht und einen Prozessorzum Verknüpfennachgewiesener Ergebnisse des Detektors mit einem jeweiligen Wert derWellenlängedes einfallenden Lichts. Gemäß der Ausführungsformwird einfallendes Licht mit mehreren Wellenlängen zugeführt, und der Prozessor bestimmteinen Wellenlängenwert,bei dem die detektierte Ausgabe ein Minimum ist.
    [0028] 1.Eine zusätzlicheAusführungsformder vorliegenden Erfindung besteht im Bereitstellen eines Verfahrenszum Erkennen der Qualitäteiner alternierenden Phasenschiebermaske, die eine Reihe erster phasenverschiebenderBereiche umfasst, die jeweils mit einer Reihe zweiter phasenverschiebenderBereiche alternieren. Das Verfahren umfasst das Zuführen vonLicht, das auf eine Seite der alternierenden Phasenschiebermaskemit mehreren verschiedenen Wellenlängen auftrifft, den Nachweiseiner Abgabe von der alternierenden Phasenschiebermaske, wenn diealternierende Phasenschiebermaske durch einfallendes Licht mit verschiedenenWellenlängengescannt wird und das Vergleichen des abgegebenen Lichts und einfallendenLichts, um die Qualitätder Phasenschiebermaske zu erkennen.
    [0029] Beieiner weiteren Ausführungsformder vorliegenden Erfindung umfasst das zugeführte Licht mehrere verschiedeneWellenlängenund der Detektor weist gleichzeitig eine Abgabe nach, die jederder jeweiligen Wellenlängedes einfallenden Lichts zugeordnet wird.
    [0030] Beieiner weiteren Ausführungsformder vorliegenden Erfindung weist der Detektor sequentiell ein zugeführtes Lichtnach, das mehrere verschiedene Wellenlängen umfasst, um eine Abgabeindividuell nachzuweisen, die jeder der jeweiligen Wellenlänge deseinfallenden Lichts zugeordnet wird.
    [0031] 1A bis 1D sind schematische Diagramme, die eineVerwendung einer herkömmlichenBIM in einem Photolithographieprozess darstellen, bei denen:
    [0032] 1A ein schematisches Diagrammder herkömmlichenBIM ist,
    [0033] 1B eine Kurve der Phasenverteilungist, nachdem Licht durch die BIM hindurchtritt,
    [0034] 1C eine Kurve der Lichtintensitätsverteilungist, nachdem Licht durch die BIM hindurchtritt, und
    [0035] 1D die Profile zeigt, dieauf der Unterschicht des BIM nach der Fertigstellung des Photolithographieprozessesentstehen.
    [0036] 2A bis 2E sind schematische Diagramme, die eineVerwendung einer AltPSM in einem Photolithographieprozess zeigen,in denen:
    [0037] 2A ein schematisches Diagrammder AltPSM ist,
    [0038] 2B eine Kurve der Phasenverteilungist, nachdem Licht durch die AltPSM hindurchtritt,
    [0039] 2C ein Transmissionsprofilder AltPSM ist, das zeigt, dass man mit der AltPSM auf dem Wafersubstratfrequenzverdoppelte Strukturen erhält,
    [0040] 2D eine Kurve der Lichtintensitätsverteilungist, nachdem Licht durch die AltPSM hindurchgetreten ist, und
    [0041] 2E die Profile zeigt, dieauf der Unterschicht des AltPSM nach der Fertigstellung des Photolithographieprozessesentstehen.
    [0042] 3A ist ein ideales Lichtbrechungsmuster aufder AltPSM, in dem bei NA = 0 keine Fehler auftreten;
    [0043] 3B ist ein Lichtberechnungsmusterauf der AltPSM, wenn bei NA = 0 ein Phasenfehler auftritt;
    [0044] 3C ist ein Lichtberechnungsmusterauf der AltPSM, wenn bei NA = 0 ein CD-Fehler auftritt;
    [0045] 3D ist ein Lichtberechnungsmusterauf der AltPSM, wenn bei NA = 0 ein Transmissionsfehler auftritt.
    [0046] 4 ist ein schematischesDiagramm, das die Infrastruktur eines herkömmlichen AIMS-Werkzeugs zumErkennen von Maskenfehlern zeigt.
    [0047] 5 ist ein Flußdiagramm,das ein Verfahren zum Erkennen der Qualität einer AltPSM gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung darstellt.
    [0048] 6 ist ein schematischesDiagramm, das ein System zum Erkennen der Qualität einer AltPSM gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt.
    [0049] 7 ist eine graphische Darstellung,die eine Beziehung einer einfallenden Wellenlänge zu der Intensität der nulltenOrdnung zeigt.
    [0050] 8 ist eine graphische Darstellung,die eine Beziehung einer einfallenden Wellenlänge zu Phasenfehlern in einerMaske zeigt.
    [0051] AusführlicheBeschreibung der bevorzugten Ausführungsformen Nachfolgend werdenbevorzugte Ausführungsformender vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungausführlichbeschrieben. Die vorliegende Erfindung kann in vielen verschiedenenFormen verkörpertwerden und sollte nicht so ausgelegt werden, als wenn sie auf diehier dargelegten Ausführungsformenbeschränktwäre.
    [0052] Wieoben beschrieben führtjedes Ungleichgewicht hinsichtlich Phase, Transmission oder CD in einerphotolithographischen Maske nach der Lithographie über dieMaske zu Wafern mit schlechter Qualität. Die vorliegende Erfindungstellt ein Verfahren und System zum Erkennen des Phasen- und Transmissionsgleichgewichtseiner Maske wie etwa einer alternierenden Phasenschiebermaske bereit.
    [0053] Gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung wird jedes Ungleichgewicht hinsichtlichPhase und Transmission der Maske an der Grenze zwischen den Bereichenmit einer Phasendrehung von 0 Grad und 180 Grad detektiert. Dazu wirdLichtintensitätder nullten Ordnung detektiert, um zu berechnen, ob an der Grenzeirgendein Phasenversatzfehler auftritt. Wenn die Intensität der nulltenOrdnung bei einer in dem Lithographieprozess verwendeten spezifischenWellenlängegleich Null ist, dann zeigt dies, dass an der Grenze keine Lichtbeugungauftritt. Deshalb wird eine Maske mit einer Lichtintensität von Nullbei der nullten Ordnung so angesehen, dass sie hinsichtlich Phaseund Transmission kein Ungleichgewicht aufweist und deshalb zum Strukturierenvon Halbleiterbauelementen in nachfolgenden Lithographieprozessenverwendet werden kann. Ansonsten können Masken mit einer etwaigen Lichtintensität bei nullterOrdnung bei der spezifischen Wellenlänge eine Reparatur zugeführt oder verworfenwerden. Wie wohl bekannt ist, ist eine AltPSM so ausgelegt, dasssie bei einer spezifischen Wellenlänge arbeitet. Bei gegenwärtig zurVerfügung stehenderLithographietechnologie wird eine Lichtwellenlänge von 193 nm zum Strukturierenkritischer Schichten verwendet. Deshalb wird bei einem Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung dargestellt, dass die Lichtintensität nullterOrdnung bei der Wellenlängevon 193 nm gleich Null ist, damit man bei Anwendung in der Lithographiemit einer Lichtwellenlängevon 193 nm eine Maske mit guter Qualität erhält. Die vorliegende Erfindungist jedoch nicht nur auf die Anwendung mit Lithographie bei 193nm beschränktund kann stattdessen leicht bei anderen Wellenlängen angewendet werden.
    [0054] AlsMerkmal einer AltPSM nimmt die Transmission von Licht in der nulltenOrdnung im Arbeitsbereich ab, wie in 2D gezeigt.Die Transmissionsabnahme ist eine Funktion sowohl der einfallendenWellenlängeals auch des Phasenversatzes (d.h., beispielsweise beträgt in dernullten Ordnung die Phasendifferenz in einer idealen AltPSM-Struktur 180Grad). Die Phasendifferenz ist so ausgelegt, dass die Leistung beider Beleuchtungswellenlänge optimiertwird. Die Eigenschaft reduzierter Transmission kann dazu verwendetwerden, das Ausmaß an Phasenversatzdurch Scannen der beleuchtenden Wellenlänge über einen entsprechenden Bereichzu quantifizieren. Weiterhin steht der Ort der Minima der gescanntenbeleuchteten Wellenlängenzu dem Ausmaß anPhasenfehler in Beziehung. Eine Ausführungsform der vorliegendenErfindung besteht deshalb darin, einen Phasenfehler durch Scannender einfallenden Wellenlängenund Identifizieren der Minima in der Kurve aus einfallenden Wellenlängen und Intensität der nulltenOrdnung zu berechnen.
    [0055] 5 ist ein Flußdiagramm,das beispielhaft ein Verfahren zum Erkennen der Qualität einerAltPSM gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie bei Schritt 501 gezeigt,wird eine Seite der zu erkennenden Maske mit einfallendem Lichtmit einstellbarer Wellenlänge beleuchtet.Abgegebenes Licht von der Maske wird bei Schritt 553 detektiert.Bei Schritt 505 wird das detektierte abgegebene Licht derMaske zur Berechnung an einen Computer geführt. Bei Schritt 507 verarbeitetder Computer das detektierte abgegebene Licht gemäß der zugeführten einfallendenLichtwellenlänge,um ein Berechnungsergebnis zu erhalten. Gemäß einer Ausführungsformder vorliegenden Erfindung kann das Berechnungsergebnis eine Kurve derBeziehung aus einfallender Wellenlänge und Intensität der nulltenOrdnung sein. Bei Schritt 509 wird die Wellenlänge deseinfallenden Lichts eingestellt und die eingestellte einfallendeWellenlängewird dann zum erneuten Scannen der Maske verwendet. Die Schritte 501, 503, 505 und 507 werdendeshalb mehrmals wiederholt, damit man verschiedene Kurven der Intensität der nulltenOrdnung bei verschiedenen Wellenlängen erhält.
    [0056] Gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung kann die Wellenlänge sequentiell justiert werden,so dass das einfallende Licht (manuell oder automatisch) auf derMaske bei verschiedenen Lichtwellenlängen gescannt wird. Alternativkann das einfallende Licht mehrere Wellenlängen umfassen. Bei dieser alternativenAusführungsformkann ein zum Erkennen des einfallenden Lichts verwendeter Detektoreine CCD mit mehreren Kanälensein, die die verschiedenen Lichtwellenlängen gleichzeitig erkennenkönnen,oder ein Detektor kann verwendet werden, der auf sequentielle Weisejeweils eine Wellenlängedetektiert.
    [0057] 6 ist ein schematischesDiagramm eines Systems 600 zum Erkennen der Qualität einerAltPSM gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung. Das System von 6 kann gemäß dem oben unter Bezugnahmeauf 5 beschriebenenVerfahren angewendet werden.
    [0058] Wiein 6 gezeigt, enthält das System 600 mindestenseine Lichtquelle 610, die ein einfallendes Licht auf eineFlä cheeiner Maske 620 wie etwa eine AltPSM projiziert, und einenDetektor 530, der der gegenüberliegenden Seite der Maske 620 zugewandtist, um das abgegebene Licht der Maske 620 zu erkennen.Das System 600 enthältaußerdem einenComputer 640 zum Empfangen der Signale des abgegebenenLichts vom Detektor 630 und Berechnen der Lichtintensität der Signaledes abgegebenen Lichts auf der Grundlage der Wellenlänge des einfallendenLichts von der Lichtquelle 610.
    [0059] DieWellenlängedes einfallenden Lichts kann eingestellt werden, so dass der Detektor 630 verschiedenesabgegebenes Licht der Maske 620 gemäß dem einfallenden Licht mitverschiedenen Wellenlängendetektiert. Alternativ kann die Lichtquelle 610 gleichzeitigLicht mit mehreren Wellenlängenauf die Maske 620 projizieren. Gemäß dieser alternativen Ausführungsformkönnendie Detektoren eine CCD mit mehreren Kanäle zum gleichzeitigen Erkennenmehrerer Wellenlängensein, oder der Detektor kann ein Detektor mit Filter sein, der jeweils eineWellenlängesequentiell detektiert. In jedem Fall sammelt der Computer 640 Informationen über das detektierteSignal des abgegebenen Lichts und die zugeordnete Wellenlänge deseinfallenden Lichts und nimmt eine Berechnung vor, um Kurven der Lichtintensität wie in 7 zu erhalten, was unten ausführlicherbeschrieben wird.
    [0060] Gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung ist der Detektor 630 eine Detektorvorrichtung,die Lichtbeugung mit Ordnungen außer der nullten Ordnung herausfiltert,so dass der Computer 640 nur die Lichtintensität der nulltenOrdnung bei verschiedenen Wellenlängen analysiert. 7 zeigt dementsprechendnur die Kurven der Beziehung aus einfallende Lichtwellenlängen undder Intensitätder nullten Ordnung.
    [0061] 7 zeigt verschiedene Kurvender Lichtintensität,die durch das Verfahren, wie unter Bezugnahme auf 5 beschrieben, erhalten wurden. Wie manin dieser Figur sehen kann, verschiebt sich das Minimum der Kurvehinsichtlich der Intensitätder nullten Ordnung, wenn die Phasendifferenz verändert wird.Außerdementspricht das Minimum jeder Kurve der einfallenden Wellenlänge, wenndie Intensitätder nullten Ordnung Null beträgt.
    [0062] Wiegezeigt, weist Kurve I ein Minimum bei 190 nm, Kurve II ein Minimumbei 193 nm und Kurve III ein Minimum bei 196 nm auf. Wie oben erwähnt, stehtder Ort der Minima jeder Kurve I, II und III zu einem Ausmaß des Phasenfehlersin Beziehung. Da in der aktuellen Photolithographietechnologie dieverwendete Lichtwellenlänge193 nm beträgt,zeigt Kurve II mit einem Minimum bei 193 nm, dass die erfasste Maskeeine ideale Maske ohne Phasen- oder Transmissionsfehler ist. Dieseideale Maske wird in der nachfolgenden Lithographietechnologie zum Strukturierendes Halbleitersubstrates verwendet. Die Kurven I und III zeigenjedoch, dass die einfallenden Wellenlängen nullter Ordnung die Fehler –3 nm bzw.+3 nm aufweisen, was bedeutet, dass die erfassten Masken bei derWellenlänge193 nm möglicherweisenicht die optimale Leistung aufweisen. Jene Masken mit den Intensitätskurvenwie den Kurven I und III, deren Minima der Intensitätskurvenicht auf den IntensitätspunktNull fällt,könnenverworfen oder repariert werden. Alternativ kann ein Herstellungsprozeß abgeändert werden,um den erkannten Maskenfehler zu berücksichtigen.
    [0063] Phasenfehlerder nullten Ordnung können auchdurch Analysieren der Kurven der Beziehung aus der Wellenlänge undder Intensitätgemäß 7 berechnet werden. Um Phasenfehlerprä ziserzu bestimmen, kann mit dem System von 6 einHochauflösungsmonochromatoroder Monochromator (nicht gezeigt) verwendet werden. Gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung kann der Monochromator mit der Lichtquelleverwendet werden, um die Wellenlängedes einfallenden Lichts zu justieren. Alternativ kann ein Monochromatorentweder auf der Vorderseite oder der Rückseite der Maske für eine bestimmteWellenlängeverwendet werden. Gemäß der vorliegendenErfindung kann der Monochromator ein Monochromator sein, der vonder Firma McPherson Co., Modell 2062, erhalten werden kann, derbis hinunter zu 0,04 nm auflösenkann. Andere Instrumente wie etwa ein Instrument mit einer nochhöherenAuflösungkann ebenfalls verwendet werden. Indem ein Hochauflösungsmonochromator angewendetwird, kann die Scanwellenlängejedesmal um eine kleinere Differenz justiert werden. Indem die feinjustierteWellenlängegescannt und die Orte der Minima der Intensität von Kurven nullter Ordnung gemessenwerden, könnenPhasenfehler präziseberechnet werden. Das Analyseergebnis mit dem Monochromator istin 8 gezeigt.
    [0064] 8 zeigt Kurven der Beziehungaus einfallenden Wellenlängenund Phasenfehler. Wie gezeigt, weist Kurve B einen Phasenfehlervon Null auf, wenn die einfallende Lichtwellenlänge 193 nm beträgt. Das heißt, dieerfasste Maske mit Kurve B ist eine ideale Maske und wird in nachfolgendenPhotolithographieprozessen verwendet. Die anderen, Kurven A undC weisen bei einfallenden Lichtwellenlängen von 190 nm bzw. 196 nmPhasenfehler von Null auf, was darauf hinweist, dass Kurve A einenPhasenfehler von –3nm und Kurve C einen Phasenfehler von +3 nm aufweist. Die den KurvenA und C entsprechenden Masken werden deshalb verworfen, repariertoder in einem Herstellungsprozeß verwendet,der den detektierten Maskenfehler kompensiert.
    [0065] DasSystem und Verfahren der vorliegenden Erfindung bestimmen dementsprechenddie Qualität derMaske durch Scannen des wellenlängenjustierbareneinfallenden Lichts auf der erfassten Maske und Messen des Minimumsder Kurve der Lichtintensitätder nullten Ordnung, wie durch die Kurven von 7 dargestellt. Das System und Verfahrender vorliegenden Erfindung könnenauch die Phasenfehler der erfassten Maske bestimmen, indem sie dasabgegebene Licht von der erfassten Maske erkennen und die Wellenlänge desabgegebenen Lichts mit der einfallenden Wellenlänge vergleichen, wie durchdie Kurven von 8 dargestellt.
    [0066] Durchdie vorliegende Erfindung erhältman ein unkompliziertes und günstigesschnelles System und Verfahren zum Bestimmen des Versatzes von Phasenverschiebungenin einer AltPSM. Gemäß dem Systemder vorliegenden Erfindung ist im Gegensatz zu Systemen, die gegenwärtig breiteAnwendung finden, wie etwa AIMS-Werkzeuge, keine komplexe und teureAnordnung der Komponenten erforderlich. Gemäß einer Ausführungsformder vorliegenden Erfindung kann beispielsweise die Lichtquelle 510 zumAbstrahlen einfallenden Lichts unter denjenigen ausgewählt werden,die bereits auf dem Markt erhältlichsind, solange sie im Bereich der 193 nm-Wellenlänge arbeitet. Die Detektorenkönnenvon jedem beliebigen Typ von Detektoren sein, wie etwa solche, dieLichtbeugung anderer Ordnungen als der nullten Ordnung ausfilternkönnen.Die vorliegende Erfindung kann einen Kollimator unterhalb der Lichtquelleenthalten, um inkohärenteseinfallendes Licht bereitzustellen. Die Maske kann auch mit einerAntireflexbeschichtung erweitert werden, damit man eine bessereLeistung erhält.Das System kann, wie oben erwähnt,einen Hochauflösungsmonochromatorauf der Vorderseite oder der Rückseiteder zu erfassenden Maske enthalten, um die Wellenlänge deseinfallenden Lichts fein zu justieren.
    [0067] Zudemkann die vorliegende Erfindung zum Erkennen eines kleinen Bereichsder Maske verwendet werden, damit man eine Abschätzung hinsichtlich der örtlichenVariation der durch Ätzenerzielten Phasen erhält.Für einegrößere Maskekann das Erfassen gemäß dem Verfahrender vorliegenden Erfindung mit einem kleinen kollimierten Lichtstrahlan verschiedenen Stellen der Maske durchgeführt werden. Indem die Phasenversätze an denGrenzen zwischen den Bereichen mit einer Phasendrehung von 0 Gradund 180 Grad in dem kleinen Bereich der Maske nachgewiesen werden,kann die Qualitäteines lokalen Bereichs der Maske entsprechend abgeschätzt werden.
    [0068] Zusätzlich zuder Anwendbarkeit auf ein einfaches 1D-Array wie Strukturen aufdem Halbleitersubstrat kann das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindungauch leicht auf zwei 2D-Strukturenausgedehnt werden. Durch Hinzunahme einer gewissen Differenziertheitin das Inspektions/Charakterisierungswerkzeug ist es außerdem möglich, dieseVerfahren auf ein beliebiges Layout auszudehnen, bei dem die Größe der Gleichwert-Komponentebeispielsweise übereine Simulation charakterisiert und dann gemessen wird.
    [0069] Dievorausgegangene Offenbarung der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegendenErfindung wurde zu Zwecken der Veranschaulichung und Beschreibungvorgelegt. Sie soll nicht erschöpfendsein oder die Erfindung auf die offenbarten präzisen Formen begrenzen. DemDurchschnittsfachmann ergeben sich angesichts der obigen Offenbarungviele Variationen und Modifikationen der Ausführungsformen. Der Umfang derErfindung soll nur durch die hier beigefügten Ansprüche und durch ihre Äquivalentedefiniert sein.
    [0070] BeimBeschreiben repräsentativerAusführungsformender vorliegenden Erfindung kann die Patentschrift zudem möglicherweisedas Verfahren und/oder den Prozess der vorliegenden Erfindung als einebestimmte Abfolge von Schritten vorgelegt haben. In dem Ausmaß, in demdas Verfahren oder der Prozess nicht auf der hier dargelegten bestimmten Reihenfolgevon Schritten basiert, sollte das Verfahren oder der Prozess nichtauf die hier bestimmte besondere Abfolge von Schritten begrenztsein. Wie der Durchschnittsfachmann erkennen würde, können andere Abfolgen von Schrittenmöglichsein. Die in der Patentschrift dargelegte besondere Reihenfolgeder Schritte sollte deshalb nicht als Einschränkungen hinsichtlich der Ansprüche ausgelegtwerden. Außerdemsollte die das Verfahren und/oder den Prozess der vorliegenden Erfindungbetreffenden Ansprüche nichtauf die Durchführungihrer Schritte in der geschriebenen Reihenfolge begrenzt werden,und der Fachmann kann ohne weiteres erkennen, dass die Abfolgenabgeändertwerden könnenund weiterhin innerhalb des Gedankens und Umfangs der vorliegendenErfindung bleiben.
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] Verfahren zum Erkennen von Fehlern einer alternierendenPhasenschiebermaske, umfassend: Zuführen von Licht, das mit mehrerenverschiedenen Wellenlängenauf eine alternierende Phasenschiebermaske auftrifft; Nachweiseiner Abgabe, die von der Maske abgestrahlt wird und sich aus demzugeführteneinfallenden Licht ergibt, fürjede der mehreren verschiedenen einfallenden Wellenlängen; und Vergleichender Wellenlängedes zugeführteneinfallenden Lichts, bei dem die detektierte Abgabe minimal ist,mit einer vorbestimmten Wellenlänge,um Unvollkommenheiten in der Maske zu erkennen.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, bei dem Licht mit einstellbarerWellenlängesequentiell überdie mehreren verschiedenen Wellenlängen gescannt wird, die aufder Maske auftreffen.
    [3] Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das zugeführte Lichtmehrere verschiedene Wellenlängenumfasst und der Detektor gleichzeitig die Abgabe nachweist, diejeder der jeweiligen Wellenlängedes einfallenden Lichts zugeordnet ist.
    [4] Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das zugeführte Lichtmehrere verschiedene Wellenlängenumfasst und der Detektor das zugeführte Licht auf sequentielleWeise detektiert, um die jeder der jeweiligen Wellenlänge deseinfallenden Lichts zugeordnete Abgabe individuell nachzuweisen.
    [5] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die nachgewieseneAbgabe eine Intensitätvon Licht, das an Gren zen zwischen phasenverschiebenden Bereichenauf der Maske abgestrahlt wird, für alle verschiedenen Wellenlängen deszugeführten einfallendenLichts repräsentiert.
    [6] Verfahren nach Anspruch 5, wobei die nachgewieseneAbgabe Lichtbeugung einer nullten Ordnung ist.
    [7] Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Maske bei mehrerenWellenlängengescannt wird, die von unter bis über die vorbestimmte Wellenlänge reichen, unddie nachgewiesene Abgabe eine Kurve entsprechend einer Funktionder zugeführteneinfallenden Wellenlängemit einem einzigen Minimum ist.
    [8] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem darüber hinausfolgender Schritt ausgeführt wird: Berechnender Differenz zwischen der Wellenlänge des zugeführten einfallendenLichts, bei der die nachgewiesene Abgabe ein Minimum aufweist, undder vorbestimmten Wellenlänge,um das Ausmaß eines Phasenfehlerszu bestimmen.
    [9] System zum Erkennen einer Qualität einer alternierenden Phasenschiebermaske,die geeignet ist, bei einer vorbestimmten Wellenlänge zu arbeiten, umfassend: eineLichtquelle zum Abstrahlen von auf die alternierende Phasenschiebermaskeeinfallendem Licht, wobei das einfallende Licht mindestens eineWellenlängeaufweist; einen Detektor zum Nachweis einer von der Maske abgestrahltenAbgabe bei Beleuchtung durch das einfallende Licht; und einenProzessor zum Verknüpfennachgewiesener Ergebnisse des Detektors mit einem jeweiligen Wert derWellenlängedes einfallenden Lichts, wobei einfallendes Licht bei mehrerenWellenlängen zugeführt wirdund der Prozessor einen Wellenlängenwertbestimmt, bei dem die nachgewiesene Abgabe ein Minimum ist.
    [10] System nach Anspruch 9, wobei das zugeführte Lichtmehrere verschiedene Wellenlängenumfasst und der Detektor gleichzeitig eine mit jeder der jeweiligenWellenlängedes einfallenden Lichts verknüpfteAbgabe nachweist.
    [11] System nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Differenzzwischen der Wellenlängedes zugeführten einfallendenLichts, bei dem die nachgewiesene Abgabe ein Minimum ist, und dervorbestimmten Wellenlängeein mit der Maske verbundener Phasenfehler ist.
    [12] System nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei die Lichtquellejustiert wird, um die Maske mit verschiedenen Wellenlängen zunehmendvon einem Bereich unter bis überder vorbestimmten Wellenlängezu beleuchten.
    [13] System nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei der DetektorLichtbeugungen nachweist, die an Grenzen zwischen Bereichen aufder Maske mit einer Phasenverschiebung von 0 Grad und 180 Grad auftreten.
    [14] System nach Anspruch 13, wobei die an den Grenzenauftretenden Lichtbeugungen einer Lichtintensität nullter Ordnung entsprechen.
    [15] System nach einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei die vorbestimmteWellenlänge193 nm beträgt.
    [16] Verfahren zum Erkennen der Qualität einer alternierendenPhasenschiebermaske, wobei die alternierende Phasenschiebermaskeeine Reihe erster phasenverschiebender Bereiche umfasst, die jeweils miteiner Reihe zweiter phasenverschiebender Bereiche alternieren, mitden folgenden Schritten: Zuführen von Licht, das auf eineSeite der alternierenden Phasenschiebermaske mit mehreren verschiedenenWellenlängenauftrifft; Nachweis einer Abgabe von der alternierenden Phasenschiebermaske,wenn die alternierende Phasenschiebermaske durch einfallendes Lichtmit verschiedenen Wellenlängengescannt wird; und Vergleichen des abgegebenen Lichts und einfallendenLichts, um die Qualitätder Phasenschiebermaske zu erkennen.
    [17] Verfahren nach Anspruch 16, wobei die nachgewieseneAbgabe Lichtbeugungen umfasst, die an den Grenzen zwischen Bereichenmit einer Phasenverschiebung von 0 Grad und mit einer Phasenverschiebung180 Grad der alternierenden Phasenschiebermaske auftreten.
    [18] Verfahren nach Anspruch 17, wobei die Lichtbeugungan der Grenze einer Lichtintensität nullter Ordnung entspricht.
    [19] Verfahren nach Anspruch 18, wobei der Schritt desVergleichens zu einer Kurve der Beziehung aus Wellenlänge deseinfallenden Lichts und Intensitätnullter Ordnung führt.
    [20] Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei das zugeführte Lichtmehrere verschiedene Wellenlängenumfasst und der Detektor auf sequentielle Weise gescannt wird, umdie Abgabe individuell nachzuweisen, die jeder der jeweiligen Wellenlänge deseinfallenden Lichts zugeordnet wird.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
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    引用文献:
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    法律状态:
    2005-02-03| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
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